RSD080P05TL

Rohm Semiconductor

RSD080P05TL

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 45V 8A CPT3

在产TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs91mOhm @ 8A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs93.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11000 pF @ 10 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR)
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA

电气

漏源电压45 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Ta)
最大功耗15W (Tc)

机械

Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装CPT3

环境

工作温度150°C (TJ)