RS1E281BNTB1

Rohm Semiconductor

RS1E281BNTB1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 28A/80A 8HSOP

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3mOhm @ 28A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5100 pF @ 15 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C28A (Ta), 80A (Tc)
最大功耗3W (Ta)

机械

Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装8-HSOP

环境

工作温度150°C (TJ)