RS1E220ATTB1

Name: RS1E220ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP

在产8-PowerTDFN模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.1mOhm @ 22A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5850 pF @ 15 V
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 2mA

漏源电压	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	22A (Ta), 76A (Tc)
最大功耗	3W (Ta)

工作温度	150°C(TJ)