RQ6P015SPTR

Name: RQ6P015SPTR
Brand: Rohm Semiconductor

模拟与电源

MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6

在产SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	470mOhm @ 1.5A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	322 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	950 pF @ 25 V
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA

漏源电压	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.5A (Ta)
最大功耗	600mW (Ta)

工作温度	150°C(TJ)