RQ6E030ATTCR

Name: RQ6E030ATTCR
Brand: Rohm Semiconductor

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6

在产SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	91mOhm @ 3A, 10V
基础料号	RQ6E030
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	240 pF @ 15 V
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	Surface Mount
包装	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态	在产
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA

漏源电压	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3A (Ta)

Package / Case	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装	TSMT6 (SC-95)