RQ5P010SNTL

Rohm Semiconductor

RQ5P010SNTL

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3

在产SC-96模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs520mOhm @ 1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds140 pF @ 25 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta)
最大功耗700mW (Ta)

机械

Package / CaseSC-96
供应商器件封装TSMT3

环境

工作温度150°C (TJ)