RQ5E025ATTCL

Rohm Semiconductor

RQ5E025ATTCL

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CHANNEL 30V 2.5A TSMT3

在产SC-96模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs91mOhm @ 2.5A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds220 pF @ 15 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A (Ta)
最大功耗1W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSC-96
供应商器件封装TSMT3

环境

工作温度150°C(TJ)