RP1A090ZPTR

Rohm Semiconductor

RP1A090ZPTR

模拟与电源

MOSFET P-CH 12V 9A MPT6

停产/老旧6-SMD, Flat Leads模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 9A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7400 pF @ 6 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

电气

漏源电压12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta)
最大功耗2W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-SMD, Flat Leads
供应商器件封装MPT6

环境

工作温度150°C(TJ)