RJ1L08CGNTLL

Rohm Semiconductor

RJ1L08CGNTLL

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 80A LPTL

已停产TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.7mOhm @ 80A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2600 pF @ 30 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态Not For New Designs
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 50µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
最大功耗96W (Tc)

机械

Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装LPTL

环境

工作温度150°C (TJ)