RFUH20TB4S

Rohm Semiconductor

RFUH20TB4S

Datasheet

模拟与电源

DIODE GEN PURP 430V 20A TO220FN

在产TO-220-3 Full Pack模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号RFUH20
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Through Hole
包装Bulk
产品状态在产
Reverse Recovery Time (trr)25 ns
技术Standard

电气

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)430 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 20 A
Current - Average Rectified (Io)20A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 430 V
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

机械

Package / CaseTO-220-3 Full Pack
供应商器件封装TO-220FN

环境

Operating Temperature - Junction150°C (Max)