RFS60TZ6SGC13

Rohm Semiconductor

RFS60TZ6SGC13

Datasheet

模拟与电源

DIODE GEN PURP 650V 60A TO247GE

在产TO-247-2模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号RFS60
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Through Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)55 ns
技术Standard

电气

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If2.3 V @ 60 A
Current - Average Rectified (Io)60A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 650 V
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-2
供应商器件封装TO-247GE

环境

Operating Temperature - Junction175°C