RFN10NS3STL

Rohm Semiconductor

RFN10NS3STL

Datasheet

模拟与电源

DIODE GEN PURP 350V 10A LPDS

在产模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号RFN10
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)30 ns
技术Standard

电气

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)350 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.5 V @ 10 A
Current - Average Rectified (Io)10A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 350 V
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
供应商器件封装LPDS

环境

Operating Temperature - Junction150°C