RF6C055BCTCR

Rohm Semiconductor

RF6C055BCTCR

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CHANNEL 20V 5.5A TUMT6

在产6-SMD, Flat Leads模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs25.8mOhm @ 5.5A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1080 pF @ 10 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 1mA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A (Ta)
最大功耗1W (Tc)

机械

Package / Case6-SMD, Flat Leads
供应商器件封装TUMT6

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)