RF4G060ATTCR

Rohm Semiconductor

RF4G060ATTCR

Datasheet

模拟与电源

PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS

在产6-PowerUDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 6A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds880 pF @ 20 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta)
最大功耗2W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-PowerUDFN
供应商器件封装HUML2020L8

环境

工作温度150°C(TJ)