RD3L08BGNTL

Name: RD3L08BGNTL
Brand: Rohm Semiconductor

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 80A TO252

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5mOhm @ 80A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3620 pF @ 30 V
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA

漏源电压	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	80A (Tc)
最大功耗	119W (Tc)

工作温度	150°C(TJ)