RCJ050N25TL

Rohm Semiconductor

RCJ050N25TL

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 250V 5A LPT

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.36Ohm @ 2.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds350 pF @ 25 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 1mA

电气

漏源电压250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tc)
最大功耗1.56W (Ta), 30W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装LPTS

环境

工作温度150°C(TJ)