RA1C030LDT5CL

Rohm Semiconductor

RA1C030LDT5CL

Datasheet

模拟与电源

NCH 20V 3.0A, SMM1006, SMM1006

在产3-XFDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs140mOhm @ 3A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds150 pF @ 10 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+7V, -0.2V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)
最大功耗1W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case3-XFDFN
供应商器件封装DSN1006-3

环境

工作温度150°C(TJ)