R8011KNXC7G

Rohm Semiconductor

R8011KNXC7G

Datasheet

模拟与电源

HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 11

在产TO-220-3 Full Pack模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 5.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1200 pF @ 100 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 5.5mA

电气

漏源电压800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta)
最大功耗65W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
供应商器件封装TO-220FM

环境

工作温度150°C(TJ)