R6547ENZ4C13

Rohm Semiconductor

R6547ENZ4C13

Datasheet

模拟与电源

650V 47A TO-247, LOW-NOISE POWER

在产TO-247-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 25.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3800 pF @ 25 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1.72mA

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C47A (Tc)
最大功耗480W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-3
供应商器件封装TO-247G

环境

工作温度150°C(TJ)