R6076MNZ1C9

Rohm Semiconductor

R6076MNZ1C9

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247

停产/老旧TO-247-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 38A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7000 pF @ 25 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Through Hole
包装Tube
产品状态停产/老旧
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C76A (Tc)
最大功耗740W (Tc)

机械

Package / CaseTO-247-3
供应商器件封装TO-247

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)