R6014YNXC7G

Rohm Semiconductor

R6014YNXC7G

Datasheet

模拟与电源

600V 9A TO-220FM, FAST SWITCHING

在产TO-220-3 Full Pack模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs260mOhm @ 5A, 12V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds890 pF @ 100 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id6V @ 1.4mA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Tc)
最大功耗54W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
供应商器件封装TO-220FM

环境

工作温度150°C (TJ)