R6007KNJTL

Name: R6007KNJTL
Brand: Rohm Semiconductor

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 7A LPTS

在产TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	620mOhm @ 2.4A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	470 pF @ 25 V
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	Surface Mount
包装	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态	在产
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 1mA

漏源电压	600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7A (Tc)
最大功耗	78W (Tc)

Package / Case	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装	LPTS

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)