R6006JND3TL1

Name: R6006JND3TL1
Brand: Rohm Semiconductor

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 6A TO252

在产TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	936mOhm @ 3A, 15V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	410 pF @ 100 V
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	Surface Mount
包装	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态	在产
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	7V @ 800µA

漏源电压	600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Tc)
最大功耗	86W (Tc)

Package / Case	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装	TO-252

工作温度	150°C (TJ)