R6004KNX

Rohm Semiconductor

R6004KNX

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM

在产TO-220-3 Full Pack模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs980mOhm @ 1.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds280 pF @ 25 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)
最大功耗40W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
供应商器件封装TO-220FM

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)