QS8M31TR

Rohm Semiconductor

QS8M31TR

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A TSMT8

在产8-SMD, Flat Leads模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
基础料号QS8M31
配置N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds270pF @ 10V, 750pF @ 10V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA

电气

漏源电压60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta), 2A (Ta)
Power - Max1.1W (Ta)

机械

Package / Case8-SMD, Flat Leads
供应商器件封装TSMT8

环境

工作温度150°C (TJ)