QS5K2TR

Rohm Semiconductor

QS5K2TR

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5

在产SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 2A, 4.5V
基础料号QS5K2
配置2 N-Channel (Dual) Common Source
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds175pF @ 10V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A
Power - Max1.25W

机械

Package / CaseSOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
供应商器件封装TSMT5

环境

工作温度150°C (TJ)