通用
| 存储器类型 | Volatile |
|---|---|
| 技术 | DRAM |
| 访问时间 | 30 ns |
| 基础料号 | MSM51 |
| 制造商 | Rohm Semiconductor |
| Product Status | Obsolete |
| 写周期时间 | 110ns |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 存储容量 | 16Mbit |
|---|---|
| 存储格式 | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| 供电电压 | 4.5V ~ 5.5V |
| Memory Organization | 4M x 4 |
机械
| 封装 | Tube |
|---|
环境
| 工作温度 | 0°C~70°C(TA) |
|---|