ES6U41T2R

Rohm Semiconductor

ES6U41T2R

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 1.5A 6WEMT

停产/老旧6-SMD, Flat Leads模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds80 pF @ 10 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR)
产品状态停产/老旧
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A (Ta)
最大功耗700mW (Ta)

机械

Package / Case6-SMD, Flat Leads
供应商器件封装6-WEMT

环境

工作温度150°C (TJ)