ES6U1T2R

Rohm Semiconductor

ES6U1T2R

模拟与电源

MOSFET P-CH 12V 1.3A 6WEMT

停产/老旧6-SMD, Flat Leads模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs260mOhm @ 1.3A, 4.5V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds290 pF @ 6 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

电气

漏源电压12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.3A (Ta)
最大功耗700mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-SMD, Flat Leads
供应商器件封装6-WEMT

环境

工作温度150°C(TJ)