BSS84XHZGG2CR

Rohm Semiconductor

BSS84XHZGG2CR

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W

在产3-XFDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.3Ohm @ 230mA, 10V
基础料号BSS84
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds34 pF @ 30 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 100µA

电气

漏源电压60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C230mA (Ta)
最大功耗1W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case3-XFDFN
供应商器件封装DFN1010-3W

环境

工作温度150°C(TJ)