BSM300C12P3E201

Rohm Semiconductor

BSM300C12P3E201

Datasheet

模拟与电源

SICFET N-CH 1200V 300A MODULE

在产Module模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号BSM300
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15000 pF @ 10 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Chassis Mount
Product StatusActive
技术SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+22V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id5.6V @ 80mA

电气

漏源电压1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300A (Tc)
最大功耗1360W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseModule
供应商器件封装Module

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)