BR25A512F-3MGE2

Rohm Semiconductor

BR25A512F-3MGE2

Datasheet

存储器与存储

IC EEPROM 512KBIT SPI 10MHZ 8SOP

在产8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Non-Volatile
技术EEPROM
基础料号BR25A512
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
写周期时间5ms

电气

存储容量512Kbit
存储格式EEPROM
Memory InterfaceSPI
时钟频率10 MHz
供电电压2.5V ~ 5.5V
Memory Organization64K x 8

机械

Package / Case8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
供应商器件封装8-SOP

环境

工作温度-40°C ~ 105°C (TA)