2SK2095N

Rohm Semiconductor

2SK2095N

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 10A TO220FN

停产/老旧TO-220-3 Full Pack模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs95mOhm @ 5A, 10V
基础料号2SK2095
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1600 pF @ 10 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Through Hole
包装Bulk
产品状态停产/老旧
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)
最大功耗30W (Tc)

机械

Package / CaseTO-220-3 Full Pack
供应商器件封装TO-220FN

环境

工作温度150°C (TJ)