UPA1727G-E1-AT

Renesas

UPA1727G-E1-AT

模拟与电源

UPA1727G-E1-AT - MOS FIELD EFFEC

停产/老旧8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2400 pF @ 10 V
制造商Renesas
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)
最大功耗2W (Ta)

机械

封装Bulk
Package / Case8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
供应商器件封装8-SOP

环境

工作温度150°C