NP82N10PUF-E1-AY

Renesas

NP82N10PUF-E1-AY

模拟与电源

NP82N10PUF-E1-AY - MOS FIELD EFF

停产/老旧模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 41A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4350 pF @ 25 V
制造商Renesas
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.3V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5.8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C82A (Tc)
最大功耗1.8W (Ta), 150W (Tc)

机械

封装Bulk
供应商器件封装TO-263-3

环境

工作温度175°C