HAT1096C-EL-E

Renesas

HAT1096C-EL-E

模拟与电源

HAT1096C - P-CHANNEL POWER MOSFE

停产/老旧6-SMD, Flat Leads模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs293mOhm @ 500µA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds155 pF @ 10 V
制造商Renesas
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 1mA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta)
最大功耗790mW (Ta)

机械

封装Bulk
Package / Case6-SMD, Flat Leads
供应商器件封装6-CMFPAK

环境

工作温度150°C