RMLV0816BGSD-4S2#AA1

Renesas Electronics Corporation

RMLV0816BGSD-4S2#AA1

Datasheet

存储器与存储

IC SRAM 8MBIT PARALLEL 52TSOP II

在产52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Volatile
技术SRAM
访问时间45 ns
基础料号RMLV0816
制造商Renesas Electronics Corporation
安装类型Surface Mount
包装Tray
产品状态在产
写周期时间45ns

电气

存储容量8Mbit
存储格式SRAM
Memory InterfaceParallel
供电电压2.4V ~ 3.6V
Memory Organization1M x 8, 512K x 16

机械

Package / Case52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
供应商器件封装52-TSOP II

环境

工作温度-40°C ~ 85°C (TA)