RJK03E0DNS-00#J5

Renesas Electronics Corporation

RJK03E0DNS-00#J5

模拟与电源

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

在产8-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.6mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3050 pF @ 10 V
制造商Renesas Electronics Corporation
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)

电气

漏源电压30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Ta)
最大功耗20W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / Case8-PowerWDFN
供应商器件封装8-HWSON (3.3x3.3)

环境

工作温度150°C (TJ)