RBA250N10CHPF-4UA02#GB0

Renesas Electronics Corporation

RBA250N10CHPF-4UA02#GB0

Datasheet

模拟与电源

MP-25LZU

在产TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4mOhm @ 125A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9500 pF @ 50 V
制造商Renesas Electronics Corporation
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C250A (Ta)
最大功耗1.8W (Ta), 348W (Tc)

机械

Package / CaseTO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
供应商器件封装TO-263-7

环境

工作温度175°C