NP60N04VDK-E1-AY

Renesas Electronics Corporation

NP60N04VDK-E1-AY

Datasheet

模拟与电源

POWER TRS2

在产TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.85mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3680 pF @ 25 V
制造商Renesas Electronics Corporation
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
最大功耗1.2W (Ta), 105W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

环境

GradeAutomotive
工作温度175°C
QualificationAEC-Q101