NP20P06SLG-E1-AY

Renesas Electronics Corporation

NP20P06SLG-E1-AY

模拟与电源

MOSFET P-CH 60V 20A TO252

在产TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs48mOhm @ 10A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1650 pF @ 10 V
制造商Renesas Electronics Corporation
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
最大功耗1.2W (Ta), 38W (Tc)

机械

Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装TO-252 (MP-3ZK)

环境

工作温度175°C (TJ)