HAT1043M-EL-E

Name: HAT1043M-EL-E
Brand: Renesas Electronics Corporation

模拟与电源

4.4A, 20V, P-CHANNEL MOSFET

在产SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 3A, 4.5V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	750 pF @ 10 V
制造商	Renesas Electronics Corporation
安装类型	Surface Mount
包装	Bulk
产品状态	在产
技术	MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压	20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.4A (Ta)
最大功耗	1.05W (Ta)

Package / Case	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装	6-TSOP

工作温度	150°C (TJ)