HAF1002-90STL-E

Renesas Electronics Corporation

HAF1002-90STL-E

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 60V 15A 4LDPAK

在产SC-83模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 7.5A, 10V
基础料号HAF1002
FET TypeP-Channel
制造商Renesas Electronics Corporation
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+3V, -16V

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Ta)
最大功耗50W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSC-83
供应商器件封装LDPAK

环境

工作温度150°C (TJ)