2SK3430-AZ

Renesas Electronics Corporation

2SK3430-AZ

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB

停产/老旧TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.3mOhm @ 40A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2800 pF @ 10 V
制造商Renesas Electronics Corporation
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
最大功耗1.5W (Ta), 84W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220AB

环境

工作温度150°C (TJ)