通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6Ohm @ 4A, 10V |
|---|---|
| 基础料号 | 2SK1775 |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1730 pF @ 10 V |
| 制造商 | Renesas Electronics Corporation |
| 安装类型 | Through Hole |
| Product Status | Active |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 900 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| 最大功耗 | 60W (Tc) |
机械
| 封装 | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
环境
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
|---|