2SK1518-E

Renesas Electronics Corporation

2SK1518-E

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 500V 20A TO3P

在产TO-220-3 Full Pack模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs270mOhm @ 10A, 10V
基础料号2SK1518
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3050 pF @ 10 V
制造商Renesas Electronics Corporation
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V

电气

漏源电压500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta)
最大功耗120W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
供应商器件封装TO-3P

环境

工作温度150°C (TJ)