通用
| 制造商 | Renesas Electronics Corporation |
|---|---|
| 安装类型 | Through Hole |
| 包装 | Bulk |
| 产品状态 | 在产 |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 1mA, 1A |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 35 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 1A, 2V |
| Power - Max | 1.3 W |
机械
| Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
|---|---|
| 供应商器件封装 | TO-126 |
环境
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
|---|