通用
| 制造商 | Renesas Electronics Corporation |
|---|---|
| 安装类型 | Through Hole |
| 包装 | Bulk |
| 产品状态 | 在产 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 300mA, 3A |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 135 @ 1A, 2V |
| Power - Max | 1 W |
| Frequency - Transition | 280MHz |
机械
| Package / Case | 3-SSIP |
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环境
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
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