通用
| 存储器类型 | Volatile |
|---|---|
| 技术 | SRAM - Synchronous, QDR II+ |
| 基础料号 | UPD44647366 |
| 制造商 | Renesas Electronics America Inc |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 写周期时间 | 2.5ns |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 存储容量 | 72Mbit |
|---|---|
| 存储格式 | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| 时钟频率 | 400 MHz |
| 供电电压 | 1.7V ~ 1.9V |
| Memory Organization | 2M x 36 |
机械
| 封装 | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 165-LBGA |
| 供应商器件封装 | 165-PBGA (13x15) |
环境
| 工作温度 | 0°C~70°C(TA) |
|---|