UPA2812T1L-E1-AT

Renesas Electronics America Inc

UPA2812T1L-E1-AT

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON

停产/老旧8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.8mOhm @ 30A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3740 pF @ 10 V
制造商Renesas Electronics America Inc
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
最大功耗1.5W (Ta), 52W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装8-HVSON (3.3x3.3)

环境

工作温度150°C(TJ)